距离2028年下半年量产还有约两年半，台积电A14（1.4纳米级）制程的器件性能和256Mb SRAM良率均已逼近90%。台积电董事长魏哲家在7月16日法说会上透露的这一数据，意味着A14的成熟速度大幅领先于同期的2纳米N2制程。
三个月：性能涨5个百分点，良率涨10个百分点
今年4月，A14制程已达到超过85%的目标晶体管性能，256Mb SRAM良率超过80%。仅仅三个月后，两项数据双双逼近90%——器件性能提高了约5个百分点，SRAM良率提升了近10个百分点。
对比N2制程同期表现，差距更为明显。2023年4月，N2的目标器件性能刚过80%，256Mb SRAM良率仅超50%。直到2024年4月，N2才实现器件性能超90%、SRAM良率超80%。也就是说，A14在同一开发阶段的表现，比N2快了大约一整年。
第二代GAA晶体管是关键变量
A14之所以能跑出这样的速度，核心原因在于晶体管架构的代际差。N2是台积电首个采用全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的制程，2023年开发时缺乏生产经验。而A14采用的是第二代GAA器件，可以充分利用N2开发及产能爬坡过程中积累的晶体管设计、制程优化和制造经验。
消息称台积电已解决了A14与N2中的大量良率瓶颈。不过需要留意的是，256Mb SRAM取得较高良率，只能说明高度重复的测试结构缺陷密度较低、制程均匀性良好，不能直接等同于商用处理器也能达到同样的功能良率和参数良率。
性能提升10%-15%，功耗降低25%-30%
与N2制程相比，A14在相同功耗下性能预计提升10%至15%；在相同频率和设计复杂度下，功耗预计降低25%至30%；逻辑密度增加超过20%，混合设计的晶体管密度提升约20%。
A14采用台积电第二代纳米片晶体管和全新标准单元架构（NanoFlex™ Pro），目标是同时提升性能、能效与晶体管密度。值得注意的是，A14并未搭载背供电技术Super Power Rail——该技术将首度在A12制程上亮相，预计2029年量产。
手机、AI、HPC客户全面导入，流片进度超前
客户端的响应同样积极。魏哲家明确表示，在智能手机、AI和高性能计算领域，台积电均观察到客户的强烈兴趣。客户的新设计流片工作正在推进，且进度快于计划。
具体客户方面，联发科已被确认为A14制程的早期导入名单成员；Marvell宣布将采用A14制程生产下一代芯片；Socionext计划于2026年9月流片基于A14的多核器件，瞄准数据中心AI SoC。
A14家族蓝图：A13、A12接力2029年
台积电首次完整披露了A14家族的技术路线图。A13是A14的进化版本，通过97%光缩技术可节省超6%的芯片面积，设计规则与A14向下兼容，客户IP可顺畅迁移。A12则是A14系列中首度导入Super Power Rail背供电技术的版本，可进一步提升AI GPU、AI ASIC及HPC芯片的PPA表现。A13与A12均规划在2029年量产。
魏哲家表示，A14和衍生技术A13、A12将推动A14成为一个比N2规模更大、生命周期更长的制程世代。距离量产仍有两年半，器件性能和SRAM良率却已双双逼近90%，只要客户设计及时完成，台积电便有可能提前启动A14大批量生产。A14的进度，正在重新定义先进制程的开发节奏。
