今日，根据外媒报道，三星计划2030年前实现1nm制程量产，采用「叉型片」架构替代GAA，通过纳米片间绝缘层提升电晶体密度，突破物理极限，目标争夺AI芯片与HBM领域话语权，2025年研发投入已达90.4兆韩元，2026年再增22%。

台积电则推进埃米时代路线图，A16制程（2nm家族）2026年下半年量产，A14（1.4nm）2028年投产，搭载超级电轨技术的版本2029年推出，旨在通过更高运算速度与能效推动AI转型，强化终端设备AI功能。

OpenAI自研ASIC芯片已由博通、Marvell合作开发，并在台积电3nm及A16制程投片。三星同步优化现有制程，开发客制化2nm「SF2T」供应特斯拉AI6芯片，预计2027年德州新厂量产。

双方技术竞争聚焦电晶体密度提升与功耗优化，1nm电晶体密度较2nm翻倍，被视为芯片微缩关键里程碑，而AI需求激增正驱动双方持续加大资本支出与技术投入。